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安装类型	表面贴装
长度	10.31mm
尺寸	10.31 x 9.45 x 4.57mm
典型关断延迟时间	250 ns
典型接通延迟时间	30 ns
典型输入电容值@Vds	1400 pF @ 25 V
封装类型	TO-263
高度	4.57mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.45mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SIPMOS
引脚数目	3
最大功率耗散	125 W
最大连续漏极电流	21 A
最大漏源电压	200 V
最大漏源电阻值	0.13 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.31mm  Infineon 长度 10.31mm  MOSFET 晶体管 长度 10.31mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.31mm   尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.31 x 9.45 x 4.57mm   典型关断延迟时间 250 ns  Infineon 典型关断延迟时间 250 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 250 ns   典型接通延迟时间 30 ns  Infineon 典型接通延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns   典型输入电容值@Vds 1400 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1400 pF @ 25 V   封装类型 TO-263  Infineon 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.57mm  Infineon 高度 4.57mm  MOSFET 晶体管 高度 4.57mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 4.57mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.45mm  Infineon 宽度 9.45mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 9.45mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SIPMOS  Infineon 系列 SIPMOS  MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS  Infineon MOSFET 晶体管 系列 SIPMOS   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 125 W  Infineon 最大功率耗散 125 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 125 W   最大连续漏极电流 21 A  Infineon 最大连续漏极电流 21 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 21 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 21 A   最大漏源电压 200 V  Infineon 最大漏源电压 200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 200 V   最大漏源电阻值 0.13 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 0.13 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.13 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.13 Ω   最大栅阈值电压 4V  Infineon 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  

• BUZ30A H3045A, SIPMOS Power Transistor