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安装类型	表面贴装
长度	5.2mm
尺寸	5.2 x 4.05 x 1.6mm
典型关断延迟时间	65 ns
典型接通延迟时间	25 ns
典型输入电容值@Vds	310 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	12 nC @ 10 V
封装类型	SC-87
高度	1.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.05mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	2 W
最大连续漏极电流	630 mA
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	5 Ω
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• ZDS020N60 N-ch 600V 0.63A Power MOSFET