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安装类型	表面贴装
长度	3mm
尺寸	3 x 1.8 x 0.95mm
典型关断延迟时间	420 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	2850 pF @ -6 V
典型栅极电荷@Vgs	35 nC @ 4.5 V
封装类型	TSMT
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.8mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.25 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	12 V
最大漏源电阻值	26 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±10 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• RZQ050P01 P-ch 12V 5A Power MOSFET