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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.6 x 0.8mm
典型关断延迟时间	50 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	680 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	8 nC @ 4.5 V
封装类型	TSMT
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.6mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1 W
最大连续漏极电流	4 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	110 mΩ
最大栅阈值电压	1.3V
最大栅源电压	±10 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  ROHM 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.6 x 0.8mm  ROHM 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.8mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.8mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.8mm   典型关断延迟时间 50 ns  ROHM 典型关断延迟时间 50 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns   典型接通延迟时间 10 ns  ROHM 典型接通延迟时间 10 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns   典型输入电容值@Vds 680 pF @ 10 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 680 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 4.5 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 4.5 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 4.5 V   封装类型 TSMT  ROHM 封装类型 TSMT  MOSFET 晶体管 封装类型 TSMT  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TSMT   高度 0.8mm  ROHM 高度 0.8mm  MOSFET 晶体管 高度 0.8mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 0.8mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  ROHM 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ROHM 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1 W  ROHM 最大功率耗散 1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W   最大连续漏极电流 4 A  ROHM 最大连续漏极电流 4 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 4 A   最大漏源电压 20 V  ROHM 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 110 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 110 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 110 mΩ   最大栅阈值电压 1.3V  ROHM 最大栅阈值电压 1.3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.3V   最大栅源电压 ±10 V  ROHM 最大栅源电压 ±10 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• RUR040N02 1.5V Drive N-ch MOSFET