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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.6 x 0.9mm
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	200 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	2.9 nC @ 4.5 V
封装类型	TSMT
高度	0.9mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.6mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	1 W
最大连续漏极电流	8 A
最大漏源电压	45 V
最大漏源电阻值	250 mΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	12 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• RTR020N05 2.5V Drive Nch MOS FET