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安装类型	表面贴装
长度	2mm
尺寸	2 x 1.7 x 0.77mm
典型关断延迟时间	32 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型输入电容值@Vds	350 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	4.6 nC @ 4.5 V
封装类型	TUMT
高度	0.77mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.7mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1 W
最大连续漏极电流	3.5 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	79 mΩ
最大栅阈值电压	1.5V
最大栅源电压	12 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• RTL035N03 2.5V Drive N-ch MOSFET