RSE002P03TL,826-7762,ROHM Si P沟道 MOSFET RSE002P03TL, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75A封装 ,ROHM
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ROHM Si P沟道 MOSFET RSE002P03TL, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75A封装

制造商零件编号：
RSE002P03TL
制造商：
ROHM ROHM
库存编号：
826-7762
ROHM RSE002P03TL
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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RSE002P03TL
库存编号:RSE002P03TLCT-ND		 ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA EMT32708
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RSE002P03TL
库存编号:RSE002P03TLTR-ND		 ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA EMT30
1起订		6-10天询价 询价
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RSE002P03TL
库存编号:RSE002P03TLDKR-ND		 ROHM Semiconductor MOSFET P-CH 30V 200MA EMT30
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RSE002P03TL
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RSE002P03TL
库存编号:61180482		ROHM SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R5905
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库存编号:62337808		ROHM SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R3000
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RSE002P03TL
库存编号:61679754		ROHM SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R2744
417起订		417+
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RSE002P03TL
库存编号:1680363		 ROHM Semiconductor , MOSFET0
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500+
1000+
5000+
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RSE002P03TL ROHM Semiconductor  
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RSE002P03TL ROHM Semiconductor RoHS (ship within 1day) - D/C 20223000
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RSE002P03TL ROHM Semiconductor RoHS (ship within 1day) - D/C 20222744
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RSE002P03TL ROHM Semiconductor RoHS (ship within 1day) - D/C40
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10+
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100+
500+
1000+
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￥2.19
￥1.1
￥1.01
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RSE002P03TL产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

RSE002P03TL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.6mm  
  尺寸  1.6 x 0.8 x 0.7mm  
  典型关断延迟时间  30 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  30 pF @ -10 V  
  封装类型  SC-75A  
  高度  0.7mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  0.8mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大连续漏极电流  200 mA  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  2.4 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
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RSE002P03TL相关搜索

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.6mm  ROHM 长度 1.6mm  MOSFET 晶体管 长度 1.6mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 1.6mm   尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm  ROHM 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.7mm   典型关断延迟时间 30 ns  ROHM 典型关断延迟时间 30 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 30 ns   典型接通延迟时间 8 ns  ROHM 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 30 pF @ -10 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 30 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 30 pF @ -10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 30 pF @ -10 V   封装类型 SC-75A  ROHM 封装类型 SC-75A  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-75A  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 SC-75A   高度 0.7mm  ROHM 高度 0.7mm  MOSFET 晶体管 高度 0.7mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 0.7mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 0.8mm  ROHM 宽度 0.8mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.8mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 0.8mm   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  ROHM 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 150 mW  ROHM 最大功率耗散 150 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 mW  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 mW   最大连续漏极电流 200 mA  ROHM 最大连续漏极电流 200 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 mA   最大漏源电压 30 V  ROHM 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 2.4 Ω  ROHM 最大漏源电阻值 2.4 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 Ω  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 Ω   最大栅阈值电压 2.5V  ROHM 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±20 V  ROHM 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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RSE002P03TL
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MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R

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Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R (Alt: RSE002P03TL)

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R (Alt: RSE002P03TL)

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R - Tape and Reel (Alt: RSE002P03TL)

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Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 3-Pin EMT T/R

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SWITCHING MOSFET

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RSE002P03 Series P-Channel 30 V 1.4 Ohm 150 mW Surface Mount Mosfet - EMT-3

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

ROHM - RSE002P03TL - ROHM Si P沟道 MOSFET RSE002P03TL, 200 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-75A封装
制造商零件编号：
RSE002P03TL
品牌：
ROHM
库存编号：
826-7762
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
RSE002P03TL
ROHM RSE002P03TL		1680363

ROHM

晶体管, MOSFET, P沟道, 200 mA, -30 V, 1.4 ohm, -10 V, 2.5 V

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Rohm Semiconductor - RSE002P03TL - MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416		Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 150mW（Ta） EMT3

型号：RSE002P03TL
仓库库存编号：RSE002P03TLCT-ND
别名：RSE002P03TLCT <br>

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RSE002P03TL|Rohm SemiconductorRSE002P03TL
Rohm Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
Rohs

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Rohm Semiconductor		MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
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RSE002P03TL产品技术参数资料

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