关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 5.5 x 2.3mm
典型关断延迟时间	26 ns
典型接通延迟时间	8 ns
典型输入电容值@Vds	290 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	8 nC @ 10 V
封装类型	SC-63
高度	2.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.5mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	15 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	60 V
最大漏源电阻值	140 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.5mm  ROHM 长度 6.5mm  MOSFET 晶体管 长度 6.5mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm  ROHM 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 6.5 x 5.5 x 2.3mm   典型关断延迟时间 26 ns  ROHM 典型关断延迟时间 26 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 26 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 26 ns   典型接通延迟时间 8 ns  ROHM 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 290 pF @ 25 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 290 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 290 pF @ 25 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 290 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V   封装类型 SC-63  ROHM 封装类型 SC-63  MOSFET 晶体管 封装类型 SC-63  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 SC-63   高度 2.3mm  ROHM 高度 2.3mm  MOSFET 晶体管 高度 2.3mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 2.3mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.5mm  ROHM 宽度 5.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.5mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 5.5mm   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ROHM 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 15 W  ROHM 最大功率耗散 15 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 15 W  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 15 W   最大连续漏极电流 5 A  ROHM 最大连续漏极电流 5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A   最大漏源电压 60 V  ROHM 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 140 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 140 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 140 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 140 mΩ   最大栅阈值电压 3V  ROHM 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  ROHM 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• RSD050N06 4V Drive N-ch MOSFET