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安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 5.5 x 2.3mm
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	530 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	14 nC @ 10 V
封装类型	SC-63
高度	2.3mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.5mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	15 W
最大连续漏极电流	5 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	205 mΩ
最大栅阈值电压	2.5V
最大栅源电压	±20 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• RSD050N10 4V Drive N-ch MOSFET