RRR030P03TL,826-7743,ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装 ,ROHM
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ROHM Si P沟道 MOSFET RRR030P03TL, 3 A, Vds=30 V, 3引脚 TSMT封装

制造商零件编号：
RRR030P03TL
制造商：
ROHM ROHM
库存编号：
826-7743
ROHM RRR030P03TL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

RRR030P03TL产品详细信息

P 通道 MOSFET 晶体管，ROHM

RRR030P03TL产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 0.9mm  
  典型关断延迟时间  50 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  480 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  5.2 nC @ 5 V  
  封装类型  TSMT  
  高度  0.9mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.6mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1 W  
  最大连续漏极电流  3 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

RRR030P03TL相关搜索

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  ROHM 长度 2.9mm  MOSFET 晶体管 长度 2.9mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm  ROHM 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 0.9mm   典型关断延迟时间 50 ns  ROHM 典型关断延迟时间 50 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 50 ns   典型接通延迟时间 7 ns  ROHM 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 480 pF @ -10 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 480 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 480 pF @ -10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 480 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 5 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 5 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 5.2 nC @ 5 V   封装类型 TSMT  ROHM 封装类型 TSMT  MOSFET 晶体管 封装类型 TSMT  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TSMT   高度 0.9mm  ROHM 高度 0.9mm  MOSFET 晶体管 高度 0.9mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 0.9mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.6mm  ROHM 宽度 1.6mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 1.6mm   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  ROHM 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1 W  ROHM 最大功率耗散 1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W   最大连续漏极电流 3 A  ROHM 最大连续漏极电流 3 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3 A   最大漏源电压 30 V  ROHM 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅阈值电压 2.5V  ROHM 最大栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V   最大栅源电压 ±20 V  ROHM 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

RRR030P03TL产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号