RCX330N25,826-7721,ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装 ,ROHM
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RCX330N25
ROHM N沟道 Si MOSFET RCX330N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FM封装
制造商零件编号:
RCX330N25
制造商:
ROHM
ROHM
库存编号:
826-7721
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RCX330N25产品详细信息
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM
RCX330N25产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.3mm
尺寸
10.3 x 4.8 x 15.4mm
典型关断延迟时间
120 ns
典型接通延迟时间
50 ns
典型输入电容值@Vds
4500 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
80 nC @ 10 V
封装类型
TO-220FM
高度
15.4mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
4.8mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
40 W
最大连续漏极电流
33 A
最大漏源电压
250 V
最大漏源电阻值
230 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
RCX330N25相关搜索
安装类型 通孔
ROHM 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.3mm
ROHM 长度 10.3mm
MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
ROHM MOSFET 晶体管 长度 10.3mm
尺寸 10.3 x 4.8 x 15.4mm
ROHM 尺寸 10.3 x 4.8 x 15.4mm
MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.8 x 15.4mm
ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 10.3 x 4.8 x 15.4mm
典型关断延迟时间 120 ns
ROHM 典型关断延迟时间 120 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 120 ns
ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 120 ns
典型接通延迟时间 50 ns
ROHM 典型接通延迟时间 50 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 50 ns
ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 50 ns
典型输入电容值@Vds 4500 pF @ 25 V
ROHM 典型输入电容值@Vds 4500 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4500 pF @ 25 V
ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4500 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
ROHM 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 80 nC @ 10 V
封装类型 TO-220FM
ROHM 封装类型 TO-220FM
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FM
ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FM
高度 15.4mm
ROHM 高度 15.4mm
MOSFET 晶体管 高度 15.4mm
ROHM MOSFET 晶体管 高度 15.4mm
晶体管材料 Si
ROHM 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ROHM 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.8mm
ROHM 宽度 4.8mm
MOSFET 晶体管 宽度 4.8mm
ROHM MOSFET 晶体管 宽度 4.8mm
类别 功率 MOSFET
ROHM 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ROHM MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ROHM 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ROHM 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ROHM 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
ROHM 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 40 W
ROHM 最大功率耗散 40 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 40 W
ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 40 W
最大连续漏极电流 33 A
ROHM 最大连续漏极电流 33 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 33 A
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最大漏源电压 250 V
ROHM 最大漏源电压 250 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V
ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V
最大漏源电阻值 230 mΩ
ROHM 最大漏源电阻值 230 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 230 mΩ
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最大栅阈值电压 5V
ROHM 最大栅阈值电压 5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 5V
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最大栅源电压 ±30 V
ROHM 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最高工作温度 +150 °C
ROHM 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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RCX330N25产品技术参数资料
RCX330N25 N-ch 250V 33A Power MOSFET
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