RCD080N25TL,826-7719,ROHM N沟道 Si MOSFET RCD080N25TL, 8 A, Vds=250 V, 3引脚 SC-63封装 ,ROHM
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RCD080N25TL
ROHM N沟道 Si MOSFET RCD080N25TL, 8 A, Vds=250 V, 3引脚 SC-63封装
制造商零件编号:
RCD080N25TL
制造商:
ROHM
ROHM
库存编号:
826-7719
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
RCD080N25TL产品详细信息
N 通道 MOSFET 晶体管,ROHM
RCD080N25TL产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 5.8 x 2.5mm
典型关断延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
30 ns
典型输入电容值@Vds
1440 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
25 nC @ 10 V
封装类型
SC-63
高度
2.5mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
5.8mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
20 W
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
250 V
最大漏源电阻值
640 mΩ
最大栅阈值电压
5V
最大栅源电压
±30 V
最高工作温度
+150 °C
关键词
RCD080N25TL相关搜索
安装类型 表面贴装
ROHM 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
ROHM 长度 6.7mm
MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
ROHM MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 5.8 x 2.5mm
ROHM 尺寸 6.7 x 5.8 x 2.5mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 5.8 x 2.5mm
ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 5.8 x 2.5mm
典型关断延迟时间 40 ns
ROHM 典型关断延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 30 ns
ROHM 典型接通延迟时间 30 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns
ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 30 ns
典型输入电容值@Vds 1440 pF @ 25 V
ROHM 典型输入电容值@Vds 1440 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1440 pF @ 25 V
ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1440 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V
ROHM 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V
ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V
封装类型 SC-63
ROHM 封装类型 SC-63
MOSFET 晶体管 封装类型 SC-63
ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 SC-63
高度 2.5mm
ROHM 高度 2.5mm
MOSFET 晶体管 高度 2.5mm
ROHM MOSFET 晶体管 高度 2.5mm
晶体管材料 Si
ROHM 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ROHM 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.8mm
ROHM 宽度 5.8mm
MOSFET 晶体管 宽度 5.8mm
ROHM MOSFET 晶体管 宽度 5.8mm
类别 功率 MOSFET
ROHM 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ROHM MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ROHM 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ROHM 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ROHM 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
ROHM 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最大功率耗散 20 W
ROHM 最大功率耗散 20 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 20 W
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最大连续漏极电流 8 A
ROHM 最大连续漏极电流 8 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
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最大漏源电压 250 V
ROHM 最大漏源电压 250 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V
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最大漏源电阻值 640 mΩ
ROHM 最大漏源电阻值 640 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 640 mΩ
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最大栅阈值电压 5V
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最大栅源电压 ±30 V
ROHM 最大栅源电压 ±30 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V
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最高工作温度 +150 °C
ROHM 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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RCD080N25TL产品技术参数资料
RCD080N25 N-ch 250V 8A Power MOSFET
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