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安装类型	通孔
长度	10mm
尺寸	10 x 4.5 x 15mm
典型关断延迟时间	165 ns
典型接通延迟时间	40 ns
典型输入电容值@Vds	2050 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	55 nC @ 10 V
封装类型	TO-220FM
高度	15mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	50 W
最大连续漏极电流	19 A
最大漏源电压	500 V
最大漏源电阻值	240 mΩ
最大栅阈值电压	4.5V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  ROHM 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10mm  ROHM 长度 10mm  MOSFET 晶体管 长度 10mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 10mm   尺寸 10 x 4.5 x 15mm  ROHM 尺寸 10 x 4.5 x 15mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15mm   典型关断延迟时间 165 ns  ROHM 典型关断延迟时间 165 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 165 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 165 ns   典型接通延迟时间 40 ns  ROHM 典型接通延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 40 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 40 ns   典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 25 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 25 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2050 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 55 nC @ 10 V   封装类型 TO-220FM  ROHM 封装类型 TO-220FM  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FM  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FM   高度 15mm  ROHM 高度 15mm  MOSFET 晶体管 高度 15mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 15mm   晶体管材料 Si  ROHM 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.5mm  ROHM 宽度 4.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm   类别 功率 MOSFET  ROHM 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ROHM MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ROHM 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 50 W  ROHM 最大功率耗散 50 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 50 W   最大连续漏极电流 19 A  ROHM 最大连续漏极电流 19 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 19 A   最大漏源电压 500 V  ROHM 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 240 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 240 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 240 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 240 mΩ   最大栅阈值电压 4.5V  ROHM 最大栅阈值电压 4.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4.5V   最大栅源电压 ±30 V  ROHM 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• R5019ANX 10V Drive Nch MOSFET