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安装类型	通孔
长度	15.9mm
尺寸	15.9 x 5.03 x 20.95mm
典型关断延迟时间	76 ns
典型接通延迟时间	35 ns
典型输入电容值@Vds	2080 pF@ 800 V
典型栅极电荷@Vgs	106 nC @ 18 V
封装类型	TO-247
高度	5.03mm
晶体管材料	SiC
晶体管配置	单
宽度	20.95mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	262 W
最大连续漏极电流	40 A
最大漏源电压	1200 V
最大漏源电阻值	125 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	22 V
最高工作温度	+175 °C
关键词

安装类型 通孔  ROHM 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  ROHM MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.9mm  ROHM 长度 15.9mm  MOSFET 晶体管 长度 15.9mm  ROHM MOSFET 晶体管 长度 15.9mm   尺寸 15.9 x 5.03 x 20.95mm  ROHM 尺寸 15.9 x 5.03 x 20.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.03 x 20.95mm  ROHM MOSFET 晶体管 尺寸 15.9 x 5.03 x 20.95mm   典型关断延迟时间 76 ns  ROHM 典型关断延迟时间 76 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 76 ns   典型接通延迟时间 35 ns  ROHM 典型接通延迟时间 35 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns  ROHM MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 35 ns   典型输入电容值@Vds 2080 pF@ 800 V  ROHM 典型输入电容值@Vds 2080 pF@ 800 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2080 pF@ 800 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2080 pF@ 800 V   典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 18 V  ROHM 典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 18 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 18 V  ROHM MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 106 nC @ 18 V   封装类型 TO-247  ROHM 封装类型 TO-247  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247  ROHM MOSFET 晶体管 封装类型 TO-247   高度 5.03mm  ROHM 高度 5.03mm  MOSFET 晶体管 高度 5.03mm  ROHM MOSFET 晶体管 高度 5.03mm   晶体管材料 SiC  ROHM 晶体管材料 SiC  MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管材料 SiC   晶体管配置 单  ROHM 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  ROHM MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 20.95mm  ROHM 宽度 20.95mm  MOSFET 晶体管 宽度 20.95mm  ROHM MOSFET 晶体管 宽度 20.95mm   类别 功率 MOSFET  ROHM 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  ROHM MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  ROHM 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  ROHM MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  ROHM 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  ROHM MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  ROHM 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  ROHM MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  ROHM 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  ROHM MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 262 W  ROHM 最大功率耗散 262 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 262 W  ROHM MOSFET 晶体管 最大功率耗散 262 W   最大连续漏极电流 40 A  ROHM 最大连续漏极电流 40 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A  ROHM MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 40 A   最大漏源电压 1200 V  ROHM 最大漏源电压 1200 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电压 1200 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  ROHM 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  ROHM MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅阈值电压 4V  ROHM 最大栅阈值电压 4V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V   最大栅源电压 22 V  ROHM 最大栅源电压 22 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 22 V  ROHM MOSFET 晶体管 最大栅源电压 22 V   最高工作温度 +175 °C  ROHM 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  ROHM MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  

• SCT2080KE, N-Channel SiC power MOSFET