SCT2080KEC,826-6905,ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2080KEC, 40 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装 ,ROHM
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ROHM N沟道 SiC MOSFET 晶体管 SCT2080KEC, 40 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
SCT2080KEC
制造商:
ROHM ROHM
库存编号:
826-6905
ROHM SCT2080KEC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SCT2080KEC产品详细信息

N 通道 SiC MOSFET 晶体管,ROHM

碳化硅 (SiC) MOSFET 相比硅同类产品,具有较低开关损耗和超高温度操作特性,适用于高效高频率开关应用。

SCT2080KEC产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 5.03 x 20.95mm  
  典型关断延迟时间  76 ns  
  典型接通延迟时间  35 ns  
  典型输入电容值@Vds  2080 pF@ 800 V  
  典型栅极电荷@Vgs  106 nC @ 18 V  
  封装类型  TO-247  
  高度  5.03mm  
  晶体管材料  SiC  
  晶体管配置  单  
  宽度  20.95mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  262 W  
  最大连续漏极电流  40 A  
  最大漏源电压  1200 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅阈值电压  4V  
  最大栅源电压  22 V  
  最高工作温度  +175 °C  
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SCT2080KEC产品技术参数资料

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