SPD03N60C3,825-9389,Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
SPD03N60C3
库存编号：
825-9389
Infineon SPD03N60C3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SPD03N60C3产品详细信息

Infineon CoolMOS?C3 功率 MOSFET

SPD03N60C3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.731 x 6.223 x 2.413mm  
  典型关断延迟时间  64 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  400 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.413mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.223mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS C3  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  38 W  
  最大连续漏极电流  3.2 A  
  最大漏源电压  650 V  
  最大漏源电阻值  3.8 Ω  
  最大栅阈值电压  3.9V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.731 x 6.223 x 2.413mm  Infineon 尺寸 6.731 x 6.223 x 2.413mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.731 x 6.223 x 2.413mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.731 x 6.223 x 2.413mm   典型关断延迟时间 64 ns  Infineon 典型关断延迟时间 64 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 64 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 64 ns   典型接通延迟时间 7 ns  Infineon 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.413mm  Infineon 高度 2.413mm  MOSFET 晶体管 高度 2.413mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.413mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.223mm  Infineon 宽度 6.223mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.223mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.223mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS C3  Infineon 系列 CoolMOS C3  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS C3   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 38 W  Infineon 最大功率耗散 38 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 38 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 38 W   最大连续漏极电流 3.2 A  Infineon 最大连续漏极电流 3.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.2 A   最大漏源电压 650 V  Infineon 最大漏源电压 650 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 650 V   最大漏源电阻值 3.8 Ω  Infineon 最大漏源电阻值 3.8 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.8 Ω  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.8 Ω   最大栅阈值电压 3.9V  Infineon 最大栅阈值电压 3.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.9V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
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3.2 A, 600 V, 1.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

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SPD03N60C3ATMA1
INFINEON SPD03N60C3ATMA1		2212860

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

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Infineon Technologies - SPD03N60C3 - MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3

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详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1

型号：SPD03N60C3ATMA1
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Infineon - SPD03N60C3 - Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
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