BSZ42DN25NS3 G,825-9382,Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ42DN25NS3 G, 5 A, Vds=250 V, 8引脚 TSDSON封装 ,Infineon
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BSZ42DN25NS3 G
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ42DN25NS3 G, 5 A, Vds=250 V, 8引脚 TSDSON封装
制造商零件编号:
BSZ42DN25NS3 G
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
825-9382
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSZ42DN25NS3 G产品详细信息
Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,100V 及以上
BSZ42DN25NS3 G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.4mm
尺寸
3.4 x 3.4 x 1.1mm
典型关断延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3 ns
典型输入电容值@Vds
320 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
4.2 nC @ 10 V
封装类型
TSDSON
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
OptiMOS 3
引脚数目
8
最大功率耗散
33.8 W
最大连续漏极电流
5 A
最大漏源电压
250 V
最大漏源电阻值
425 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
BSZ42DN25NS3 G相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.4mm
Infineon 长度 3.4mm
MOSFET 晶体管 长度 3.4mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 3.4mm
尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm
Infineon 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 3.4 x 3.4 x 1.1mm
典型关断延迟时间 8 ns
Infineon 典型关断延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3 ns
Infineon 典型接通延迟时间 3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
典型输入电容值@Vds 320 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 320 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 320 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 320 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 4.2 nC @ 10 V
封装类型 TSDSON
Infineon 封装类型 TSDSON
MOSFET 晶体管 封装类型 TSDSON
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TSDSON
高度 1.1mm
Infineon 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.4mm
Infineon 宽度 3.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 3.4mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强
系列 OptiMOS 3
Infineon 系列 OptiMOS 3
MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS 3
引脚数目 8
Infineon 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 33.8 W
Infineon 最大功率耗散 33.8 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 33.8 W
Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 33.8 W
最大连续漏极电流 5 A
Infineon 最大连续漏极电流 5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5 A
最大漏源电压 250 V
Infineon 最大漏源电压 250 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V
Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 250 V
最大漏源电阻值 425 mΩ
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MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 425 mΩ
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最大栅阈值电压 4V
Infineon 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
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最大栅源电压 ±20 V
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MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
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MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小栅阈值电压 2V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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BSZ42DN25NS3 G产品技术参数资料
BSZ42DN25NS3G OptiMOS3 Power Transistor Datasheet
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