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安装类型	表面贴装
长度	6.35mm
尺寸	6.35 x 5.35 x 1.1mm
典型关断延迟时间	66 ns
典型接通延迟时间	15 ns
典型输入电容值@Vds	4530 pF @ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	61 nC @ 10 V
封装类型	TDSON
高度	1.1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	OptiMOS P
引脚数目	8
最大功率耗散	83 W
最大连续漏极电流	100 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	9.6 mΩ
最大栅阈值电压	1.9V
最大栅源电压	±25 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	3.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.35mm  Infineon 长度 6.35mm  MOSFET 晶体管 长度 6.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.35mm   尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  Infineon 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm   典型关断延迟时间 66 ns  Infineon 典型关断延迟时间 66 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 66 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 66 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Infineon 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 4530 pF @ -15 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4530 pF @ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4530 pF @ -15 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4530 pF @ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 61 nC @ 10 V   封装类型 TDSON  Infineon 封装类型 TDSON  MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TDSON   高度 1.1mm  Infineon 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.35mm  Infineon 宽度 5.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 5.35mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Infineon 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 OptiMOS P  Infineon 系列 OptiMOS P  MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P  Infineon MOSFET 晶体管 系列 OptiMOS P   引脚数目 8  Infineon 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 83 W  Infineon 最大功率耗散 83 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 83 W   最大连续漏极电流 100 A  Infineon 最大连续漏极电流 100 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 100 A   最大漏源电压 30 V  Infineon 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 9.6 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 9.6 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9.6 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 9.6 mΩ   最大栅阈值电压 1.9V  Infineon 最大栅阈值电压 1.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.9V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1.9V   最大栅源电压 ±25 V  Infineon 最大栅源电压 ±25 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±25 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3.1V  Infineon 最小栅阈值电压 3.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3.1V  

• BSC060P03NS3E G, OptiMOS P3 Power-Transistor