BSC024NE2LS,825-9165,Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC024NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装 ,Infineon
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC024NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装

制造商零件编号:
BSC024NE2LS
库存编号:
825-9165
Infineon BSC024NE2LS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

BSC024NE2LS产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.35mm  
  尺寸  5.35 x 6.35 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  19 ns  
  典型接通延迟时间  4.1 ns  
  典型输入电容值@Vds  1700 pF @ 12 V  
  典型栅极电荷@Vgs  11 nC @ 4.5 V  
  封装类型  TDSON  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.35mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  OptiMOS  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  48 W  
  最大连续漏极电流  100 A  
  最大漏源电压  25 V  
  最大漏源电阻值  3.4 mΩ  
  最大栅阈值电压  2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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电话:400-900-3095
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BSC024NE2LS产品技术参数资料

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