IPD50R280CE,825-9140,Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装

制造商零件编号：
IPD50R280CE
库存编号：
825-9140
Infineon IPD50R280CE
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IPD50R280CE产品详细信息

Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET

IPD50R280CE产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.41mm  
  典型关断延迟时间  40 ns  
  典型接通延迟时间  8 ns  
  典型输入电容值@Vds  773 pF @ 100 V  
  典型栅极电荷@Vgs  32.6 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252  
  高度  2.41mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  CoolMOS CE  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  92 W  
  最大连续漏极电流  13 A  
  最大漏源电压  550 V  
  最大漏源电阻值  660 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.5V  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2.5V  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Infineon 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm   典型关断延迟时间 40 ns  Infineon 典型关断延迟时间 40 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns   典型接通延迟时间 8 ns  Infineon 典型接通延迟时间 8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns   典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V   典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V   封装类型 TO-252  Infineon 封装类型 TO-252  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252   高度 2.41mm  Infineon 高度 2.41mm  MOSFET 晶体管 高度 2.41mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.41mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Infineon 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 CoolMOS CE  Infineon 系列 CoolMOS CE  MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE  Infineon MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 92 W  Infineon 最大功率耗散 92 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 92 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 92 W   最大连续漏极电流 13 A  Infineon 最大连续漏极电流 13 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 13 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 13 A   最大漏源电压 550 V  Infineon 最大漏源电压 550 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 550 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 550 V   最大漏源电阻值 660 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 660 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 660 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 660 mΩ   最大栅阈值电压 3.5V  Infineon 最大栅阈值电压 3.5V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.5V   最大栅源电压 ±30 V  Infineon 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2.5V  Infineon 最小栅阈值电压 2.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IPD50R280CE产品技术参数资料

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