IPD50R280CE,825-9140,Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装 ,Infineon
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IPD50R280CE
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R280CE, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
制造商零件编号:
IPD50R280CE
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
825-9140
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IPD50R280CE产品详细信息
Infineon CoolMOS? CE 功率 MOSFET
IPD50R280CE产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.41mm
典型关断延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
典型输入电容值@Vds
773 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs
32.6 nC @ 10 V
封装类型
TO-252
高度
2.41mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
系列
CoolMOS CE
引脚数目
3
最大功率耗散
92 W
最大连续漏极电流
13 A
最大漏源电压
550 V
最大漏源电阻值
660 mΩ
最大栅阈值电压
3.5V
最大栅源电压
±30 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2.5V
关键词
IPD50R280CE配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
Infineon 长度 6.73mm
MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
Infineon MOSFET 晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
Infineon 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm
典型关断延迟时间 40 ns
Infineon 典型关断延迟时间 40 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
Infineon 典型接通延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns
Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8 ns
典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V
Infineon 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 773 pF @ 100 V
典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V
Infineon 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V
Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 32.6 nC @ 10 V
封装类型 TO-252
Infineon 封装类型 TO-252
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252
高度 2.41mm
Infineon 高度 2.41mm
MOSFET 晶体管 高度 2.41mm
Infineon MOSFET 晶体管 高度 2.41mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
Infineon 宽度 6.22mm
MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
Infineon MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm
类别 功率 MOSFET
Infineon 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
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每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
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通道类型 N
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MOSFET 晶体管 通道类型 N
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通道模式 增强
Infineon 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
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系列 CoolMOS CE
Infineon 系列 CoolMOS CE
MOSFET 晶体管 系列 CoolMOS CE
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引脚数目 3
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MOSFET 晶体管 引脚数目 3
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最小栅阈值电压 2.5V
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MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.5V
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IPD50R280CE产品技术参数资料
IPD50R280CE, 500V CoolMOS CE Power Transistor
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