NVTFS4823NTAG,823-4172,ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS4823NTAG, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 WDFN封装 ,ON Semiconductor
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NVTFS4823NTAG
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVTFS4823NTAG, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 WDFN封装
制造商零件编号：
NVTFS4823NTAG
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
823-4172
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NVTFS4823NTAG产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.15mm
尺寸
3.15 x 3.15 x 0.75mm
典型关断延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
12 ns
典型输入电容值@Vds
750 pF @ 12 V
典型栅极电荷@Vgs
12 nC @ 10 V
封装类型
WDFN
高度
0.75mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.15mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
8
最大功率耗散
21 W
最大连续漏极电流
30 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
17.5 mΩ
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
NVTFS4823NTAG相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.15mm
ON Semiconductor 长度 3.15mm
MOSFET 晶体管 长度 3.15mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 长度 3.15mm
尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm
ON Semiconductor 尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 尺寸 3.15 x 3.15 x 0.75mm
典型关断延迟时间 14 ns
ON Semiconductor 典型关断延迟时间 14 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 12 ns
ON Semiconductor 典型接通延迟时间 12 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns
典型输入电容值@Vds 750 pF @ 12 V
ON Semiconductor 典型输入电容值@Vds 750 pF @ 12 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 750 pF @ 12 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 750 pF @ 12 V
典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
ON Semiconductor 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V
封装类型 WDFN
ON Semiconductor 封装类型 WDFN
MOSFET 晶体管 封装类型 WDFN
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 封装类型 WDFN
高度 0.75mm
ON Semiconductor 高度 0.75mm
MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 高度 0.75mm
晶体管材料 Si
ON Semiconductor 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.15mm
ON Semiconductor 宽度 3.15mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.15mm
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 宽度 3.15mm
类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
ON Semiconductor 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
ON Semiconductor 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
MOSFET 晶体管 引脚数目 8
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 21 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 21 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 21 W
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大功率耗散 21 W
最大连续漏极电流 30 A
ON Semiconductor 最大连续漏极电流 30 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 30 A
最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 17.5 mΩ
ON Semiconductor 最大漏源电阻值 17.5 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 17.5 mΩ
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 17.5 mΩ
最大栅阈值电压 2.5V
ON Semiconductor 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 ±20 V
ON Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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NVTFS4823NTAG产品技术参数资料
Datasheet
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