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安装类型	表面贴装
长度	1.05mm
尺寸	1.05 x 0.85 x 0.45mm
典型关断延迟时间	19 ns, 31.1 ns
典型接通延迟时间	4 (N) ns, 5.8 (P) ns
典型输入电容值@Vds	27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-963
高度	0.45mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	0.85mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	350 mW
最大连续漏极电流	190 mA，520 mA
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	2.4 Ω，5 Ω
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.05mm  DiodesZetex 长度 1.05mm  MOSFET 晶体管 长度 1.05mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 1.05mm   尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm  DiodesZetex 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm   典型关断延迟时间 19 ns, 31.1 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 19 ns, 31.1 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns, 31.1 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns, 31.1 ns   典型接通延迟时间 4 (N) ns, 5.8 (P) ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 4 (N) ns, 5.8 (P) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 (N) ns, 5.8 (P) ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 (N) ns, 5.8 (P) ns   典型输入电容值@Vds 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 27.6 pF@ 15 V, 28.7 pF@ -15 V   典型栅极电荷@Vgs 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.4 nC @ 4.5 V，0.5 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-963  DiodesZetex 封装类型 SOT-963  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-963  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-963   高度 0.45mm  DiodesZetex 高度 0.45mm  MOSFET 晶体管 高度 0.45mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.45mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  DiodesZetex 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 0.85mm  DiodesZetex 宽度 0.85mm  MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 0.85mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N，P  DiodesZetex 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  DiodesZetex 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 350 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 350 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 350 mW   最大连续漏极电流 190 mA，520 mA  DiodesZetex 最大连续漏极电流 190 mA，520 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 mA，520 mA  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 190 mA，520 mA   最大漏源电压 20 V  DiodesZetex 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 2.4 Ω，5 Ω  DiodesZetex 最大漏源电阻值 2.4 Ω，5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 Ω，5 Ω  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.4 Ω，5 Ω   最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet Datasheet