2N7002E-7-F,822-8641,DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
2N7002E-7-F
库存编号:
822-8641
DiodesZetex 2N7002E-7-F
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2N7002E-7-F产品详细信息

N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc

2N7002E-7-F产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  11 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  22 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.223 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  540 mW  
  最大连续漏极电流  300 mA  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  4 Ω  
  最大栅阈值电压  2.5V  
  最大栅源电压  ±40 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

2N7002E-7-F产品技术参数资料

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