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安装类型	表面贴装
长度	2.08mm
尺寸	2.075 x 2.075 x 0.6mm
典型关断延迟时间	55.34 ns
典型接通延迟时间	11.51 ns
典型输入电容值@Vds	536 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
封装类型	DFN
高度	0.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	2.075mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.4 W
最大连续漏极电流	3.8 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	86 mΩ
最大栅阈值电压	0.9V
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.08mm  DiodesZetex 长度 2.08mm  MOSFET 晶体管 长度 2.08mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 2.08mm   尺寸 2.075 x 2.075 x 0.6mm  DiodesZetex 尺寸 2.075 x 2.075 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.075 x 2.075 x 0.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 2.075 x 2.075 x 0.6mm   典型关断延迟时间 55.34 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 55.34 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55.34 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 55.34 ns   典型接通延迟时间 11.51 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 11.51 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.51 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11.51 ns   典型输入电容值@Vds 536 pF @ -10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 536 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 536 pF @ -10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 536 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 6.5 nC @ 4.5 V   封装类型 DFN  DiodesZetex 封装类型 DFN  MOSFET 晶体管 封装类型 DFN  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 DFN   高度 0.6mm  DiodesZetex 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  DiodesZetex 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 2.075mm  DiodesZetex 宽度 2.075mm  MOSFET 晶体管 宽度 2.075mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 2.075mm   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  DiodesZetex 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  DiodesZetex 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.4 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.4 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.4 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.4 W   最大连续漏极电流 3.8 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 3.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 3.8 A   最大漏源电压 20 V  DiodesZetex 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 86 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 86 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 86 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 86 mΩ   最大栅阈值电压 0.9V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 0.9V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.9V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 0.9V   最大栅源电压 ±12 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
• Datasheet