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安装类型	表面贴装
长度	1.7mm
尺寸	1.7 x 1.25 x 0.6mm
典型输入电容值@Vds	50 pF@ 25 V
封装类型	SOT-563
高度	0.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.25mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	250 mW
最大连续漏极电流	280 mA
最大漏源电压	50 V
最大漏源电阻值	3 Ω
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±40 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• DMN5L06VAK-7 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet