DMN3051L-7,822-2573,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3051L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装 ,DiodesZetex
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3051L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号：
DMN3051L-7
库存编号：
822-2573
DiodesZetex DMN3051L-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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DMN3051L-7
库存编号:DMN3051LDICT-ND		 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-314122
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DMN3051L-7
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DMN3051L-7
库存编号:DMN3051LDITR-ND		 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-312000
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DMN3051L-7
库存编号:621-DMN3051L-7		 Diodes Incorporated MOSFETs 1.4W 30V 5.8A3886
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DMN3051L-7
库存编号:DMN3051L-7		 Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN3051L-7)0
3000起订		3000+
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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DMN3051L-7
库存编号:87768522		Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R6000
3000起订		3000+
6000+
9000+
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DMN3051L-7
库存编号:78407233		Zetex / Diodes IncTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R3000
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DMN3051L-7
库存编号:3943594RL		 Diodes Incorporated MOSFET, N-CH, 30V, 4.5A, SOT-232235
100起订		100+
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DMN3051L-7
库存编号:3943594		 Diodes Incorporated MOSFET, N-CH, 30V, 4.5A, SOT-232235
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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DMN3051L-7
库存编号:DMN3051L-7		 Diodes Incorporated Transistor: N-MOSFET, unipolar, 30V, 4.9A, Idm: 20A, 850mW, SOT230
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1-3周询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
DMN3051L-7 Diodes Incorporated SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4.5A I(D), 30V, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET308
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￥3.63
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DMN3051L-7产品详细信息

N 沟道 MOSFET，30V，Diodes Inc

DMN3051L-7产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3mm  
  尺寸  3 x 1.4 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  13.9 ns  
  典型接通延迟时间  3.4 ns  
  典型输入电容值@Vds  424 pF @ 5 V  
  典型栅极电荷@Vgs  9 nC @ 10 V  
  封装类型  SOT-23  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  1.4 W  
  最大连续漏极电流  5.8 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  64 mΩ  
  最大栅阈值电压  2.2V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DMN3051L-7相关搜索

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3mm  DiodesZetex 长度 3mm  MOSFET 晶体管 长度 3mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3mm   尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm  DiodesZetex 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm   典型关断延迟时间 13.9 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 13.9 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.9 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 13.9 ns   典型接通延迟时间 3.4 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 3.4 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.4 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3.4 ns   典型输入电容值@Vds 424 pF @ 5 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 424 pF @ 5 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 424 pF @ 5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 424 pF @ 5 V   典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 9 nC @ 10 V   封装类型 SOT-23  DiodesZetex 封装类型 SOT-23  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-23   高度 1.1mm  DiodesZetex 高度 1.1mm  MOSFET 晶体管 高度 1.1mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  DiodesZetex 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  DiodesZetex 宽度 1.4mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm   类别 功率 MOSFET  DiodesZetex 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  DiodesZetex 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  DiodesZetex 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 1.4 W  DiodesZetex 最大功率耗散 1.4 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.4 W  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.4 W   最大连续漏极电流 5.8 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 5.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.8 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.8 A   最大漏源电压 30 V  DiodesZetex 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 64 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 64 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 64 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 64 mΩ   最大栅阈值电压 2.2V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 2.2V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.2V   最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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DMN3051L-7
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MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

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MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3

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MOSFET 1.4W 30V 5.8A

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: DMN3051L-7)

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN3051L-7)

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

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DMN3051L-7
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Diodes Incorporated - DMN3051L-7 - MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3		Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3

型号：DMN3051L-7
仓库库存编号：DMN3051LDICT-ND
别名：DMN3051LDICT <br>

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DiodesZetex - DMN3051L-7 - DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3051L-7, 5.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
DMN3051L-7
品牌：
DiodesZetex
库存编号：
822-2573
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Diodes Inc - DMN3051L-7 - N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23|70551245 | ChuangWei Electronics		Diodes Inc
N-Channel Enhancement MOSFET SOT-23

型号：DMN3051L-7
仓库库存编号：70551245

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DMN3051L-7|Diodes IncDMN3051L-7
Diodes Inc		MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Rohs

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DMN3051L-7|Diodes IncDMN3051L-7
Diodes Inc		MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
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DMN3051L-7|Diodes IncDMN3051L-7
Diodes Inc		MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
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