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安装类型	表面贴装
长度	4.5mm
尺寸	4.5 x 3.1 x 1.025mm
典型关断延迟时间	59.38 ns
典型接通延迟时间	10.39 ns
典型输入电容值@Vds	1495 pF @ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	16.5 nC @ 4.5 V
封装类型	TSSOP
高度	1.025mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	3.1mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	880 mW
最大连续漏极电流	8.6 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	16.5 mΩ
最大栅阈值电压	1V
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 表面贴装  DiodesZetex 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  DiodesZetex 长度 4.5mm  MOSFET 晶体管 长度 4.5mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 3.1 x 1.025mm  DiodesZetex 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.025mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.025mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.025mm   典型关断延迟时间 59.38 ns  DiodesZetex 典型关断延迟时间 59.38 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 59.38 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 59.38 ns   典型接通延迟时间 10.39 ns  DiodesZetex 典型接通延迟时间 10.39 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.39 ns  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10.39 ns   典型输入电容值@Vds 1495 pF @ 10 V  DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 1495 pF @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1495 pF @ 10 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1495 pF @ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 4.5 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16.5 nC @ 4.5 V   封装类型 TSSOP  DiodesZetex 封装类型 TSSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP  DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP   高度 1.025mm  DiodesZetex 高度 1.025mm  MOSFET 晶体管 高度 1.025mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.025mm   晶体管材料 Si  DiodesZetex 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  DiodesZetex 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 3.1mm  DiodesZetex 宽度 3.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm  DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm   每片芯片元件数目 2  DiodesZetex 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N  DiodesZetex 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  DiodesZetex 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  DiodesZetex 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 880 mW  DiodesZetex 最大功率耗散 880 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 880 mW  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 880 mW   最大连续漏极电流 8.6 A  DiodesZetex 最大连续漏极电流 8.6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.6 A  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8.6 A   最大漏源电压 20 V  DiodesZetex 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 16.5 mΩ  DiodesZetex 最大漏源电阻值 16.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16.5 mΩ  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 16.5 mΩ   最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex 最大栅阈值电压 1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 1V   最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  DiodesZetex MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• DMN2016UTS-13 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
• Datasheet