BS170P,822-2160,DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170P, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装 ,DiodesZetex
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BS170P
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BS170P, 270 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
BS170P
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
822-2160
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BS170P产品详细信息
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc
BS170P产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3mm
尺寸
3 x 1.4 x 1.1mm
典型关断延迟时间
10 ns
典型接通延迟时间
10 ns
典型输入电容值@Vds
60 pF @ 10 V
封装类型
TO-92
高度
1.1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.4mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
330 mW
最大连续漏极电流
270 mA
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
5 Ω
最大栅阈值电压
3V
最大栅源电压
±20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
BS170P相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3mm
DiodesZetex 长度 3mm
MOSFET 晶体管 长度 3mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 长度 3mm
尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
DiodesZetex 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 尺寸 3 x 1.4 x 1.1mm
典型关断延迟时间 10 ns
DiodesZetex 典型关断延迟时间 10 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 10 ns
典型接通延迟时间 10 ns
DiodesZetex 典型接通延迟时间 10 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 10 ns
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典型输入电容值@Vds 60 pF @ 10 V
DiodesZetex 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 10 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 60 pF @ 10 V
封装类型 TO-92
DiodesZetex 封装类型 TO-92
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
DiodesZetex MOSFET 晶体管 封装类型 TO-92
高度 1.1mm
DiodesZetex 高度 1.1mm
MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 高度 1.1mm
晶体管材料 Si
DiodesZetex 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.4mm
DiodesZetex 宽度 1.4mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
DiodesZetex MOSFET 晶体管 宽度 1.4mm
类别 功率 MOSFET
DiodesZetex 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
DiodesZetex MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
DiodesZetex 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
DiodesZetex 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
DiodesZetex MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
DiodesZetex MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 330 mW
DiodesZetex 最大功率耗散 330 mW
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大功率耗散 330 mW
最大连续漏极电流 270 mA
DiodesZetex 最大连续漏极电流 270 mA
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 mA
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 270 mA
最大漏源电压 60 V
DiodesZetex 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
DiodesZetex MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 5 Ω
DiodesZetex 最大漏源电阻值 5 Ω
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5 Ω
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最大栅阈值电压 3V
DiodesZetex 最大栅阈值电压 3V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V
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最大栅源电压 ±20 V
DiodesZetex 最大栅源电压 ±20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
DiodesZetex 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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BS170P产品技术参数资料
BS170P N-Channel Enhancement Mode DMOS FET Data Sheet
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