IRFB7540PBF,820-8849,Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7540PBF, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
IRFB7540PBF
库存编号：
820-8849
Infineon IRFB7540PBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IRFB7540PBF产品详细信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET，Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列经过优化，RDS（接通）低且载流能力高。 此组合提供更高的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐受性，特别适用于性能和强健性非常重要的工业低频应用，包括电动机驱动器、电动工具、逆变器和电池管理。

IRFB7540PBF产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 4.83 x 16.51mm  
  典型关断延迟时间  58 ns  
  典型接通延迟时间  12 ns  
  典型输入电容值@Vds  4555 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  88 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  16.51mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.83mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  StrongIRFET  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  160 W  
  最大连续漏极电流  110 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  5.1 mΩ  
  最大栅阈值电压  3.7V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  2.1V  
关键词         

IRFB7540PBF相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Infineon MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  MOSFET 晶体管 长度 10.67mm  Infineon MOSFET 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Infineon 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 尺寸 10.67 x 4.83 x 16.51mm   典型关断延迟时间 58 ns  Infineon 典型关断延迟时间 58 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 58 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Infineon 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Infineon MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 4555 pF @ 25 V  Infineon 典型输入电容值@Vds 4555 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4555 pF @ 25 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4555 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V  Infineon 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V  Infineon MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 88 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Infineon 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Infineon MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 16.51mm  Infineon 高度 16.51mm  MOSFET 晶体管 高度 16.51mm  Infineon MOSFET 晶体管 高度 16.51mm   晶体管材料 Si  Infineon 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Infineon MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.83mm  Infineon 宽度 4.83mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm  Infineon MOSFET 晶体管 宽度 4.83mm   类别 功率 MOSFET  Infineon 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Infineon MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Infineon MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Infineon 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Infineon MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 StrongIRFET  Infineon 系列 StrongIRFET  MOSFET 晶体管 系列 StrongIRFET  Infineon MOSFET 晶体管 系列 StrongIRFET   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Infineon MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 160 W  Infineon 最大功率耗散 160 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 160 W  Infineon MOSFET 晶体管 最大功率耗散 160 W   最大连续漏极电流 110 A  Infineon 最大连续漏极电流 110 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 110 A  Infineon MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 110 A   最大漏源电压 60 V  Infineon 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 5.1 mΩ  Infineon 最大漏源电阻值 5.1 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5.1 mΩ  Infineon MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 5.1 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Infineon 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±20 V  Infineon 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Infineon MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2.1V  Infineon 最小栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  Infineon MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2.1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号