SQM50P03-07-GE3,819-3955,Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SQM50P03-07-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
819-3955
Vishay SQM50P03-07-GE3
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SQM50P03-07-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

SQM50P03-07-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.414 x 9.652 x 4.826mm  
  典型关断延迟时间  63 ns  
  典型接通延迟时间  11 ns  
  典型输入电容值@Vds  4304 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  103.5 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.826mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.652mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  150 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  0.011 Ω  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.41mm  Vishay 长度 10.41mm  MOSFET 晶体管 长度 10.41mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm   尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  Vishay 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm   典型关断延迟时间 63 ns  Vishay 典型关断延迟时间 63 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 63 ns   典型接通延迟时间 11 ns  Vishay 典型接通延迟时间 11 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 11 ns   典型输入电容值@Vds 4304 pF @ -25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 4304 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4304 pF @ -25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4304 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 103.5 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 103.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 103.5 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 103.5 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Vishay 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.826mm  Vishay 高度 4.826mm  MOSFET 晶体管 高度 4.826mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 4.826mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.652mm  Vishay 宽度 9.652mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.652mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 9.652mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SQ Rugged  Vishay 系列 SQ Rugged  MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged  Vishay MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 150 W  Vishay 最大功率耗散 150 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 150 W   最大连续漏极电流 50 A  Vishay 最大连续漏极电流 50 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A   最大漏源电压 30 V  Vishay 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 0.011 Ω  Vishay 最大漏源电阻值 0.011 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.011 Ω  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 0.011 Ω   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.5V  Vishay 最小栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
SQM50P03-07_GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO263

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SQM50P03-07_GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

RoHS: Compliant

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SQM50P03-07-GE3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

RoHS: Compliant

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SQM50P03-07_GE3
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SQM50P03-07-GE3
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Trans MOSFET P-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Bulk (Alt: SQM50P03-07_GE3)

RoHS: Compliant

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SQM50P03-07-GE3
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P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF

RoHS: Compliant

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SQM50P03-07-GE3
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P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF

RoHS: Compliant

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SQM50P03-07-GE3
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P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF

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SQM50P03-07-GE3
[更多]		 Vishay Siliconix

SQM50P03-07-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 50 A, 30 V, 2+Tab-Pin TO-263

RoHS: Compliant

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Vishay Siliconix - SQM50P03-07_GE3 - MOSFET P-CH 30V 50A TO263		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50A TO263
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）

型号：SQM50P03-07_GE3
仓库库存编号：SQM50P03-07_GE3-ND

无铅		搜索
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SQM50P03-07-GE3|VISHAY SILICONIXSQM50P03-07-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET P沟道 带二极管 30V 50A TO263
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SQM50P03-07-GE3 - Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
SQM50P03-07-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
819-3955
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SQM50P03-07-GE3
VISHAY SQM50P03-07-GE3		2056709

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2 V

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SQM50P03-07-GE3|VISHAY SILICONIXSQM50P03-07-GE3
VISHAY SILICONIX		场效应管 MOSFET P沟道 带二极管 30V 50A TO263
Rohs

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Siliconix / Vishay - SQM50P03-07-GE3 - 2+Tab-Pin TO-263 30 V 50 A SQM50P03-07-GE3 P-channel MOSFET Transistor|70617453 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
SQM50P03-07-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 50 A, 30 V, 2+Tab-Pin TO-263

型号：SQM50P03-07-GE3
仓库库存编号：70617453

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQM50P03-07-GE3产品技术参数资料

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