SQM200N04-1M1L-GE3,819-3949,Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM200N04-1M1L-GE3, 200 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM200N04-1M1L-GE3, 200 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SQM200N04-1M1L-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
819-3949
Vishay SQM200N04-1M1L-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SQM200N04-1M1L-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

SQM200N04-1M1L-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.414 x 9.652 x 4.826mm  
  典型关断延迟时间  443 ns  
  典型接通延迟时间  13 ns  
  典型输入电容值@Vds  16524 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  275 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.826mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.652mm  
  每片芯片元件数目  1  
  汽车标准  AEC-Q101  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  7  
  最大功率耗散  375 W  
  最大连续漏极电流  200 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  2.3 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
关键词         

SQM200N04-1M1L-GE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.41mm  Vishay 长度 10.41mm  MOSFET 晶体管 长度 10.41mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.41mm   尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  Vishay 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.414 x 9.652 x 4.826mm   典型关断延迟时间 443 ns  Vishay 典型关断延迟时间 443 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 443 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 443 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Vishay 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 16524 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 16524 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 16524 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 16524 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 275 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 275 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 275 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 275 nC @ 10 V   封装类型 TO-263  Vishay 封装类型 TO-263  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-263   高度 4.826mm  Vishay 高度 4.826mm  MOSFET 晶体管 高度 4.826mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 4.826mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.652mm  Vishay 宽度 9.652mm  MOSFET 晶体管 宽度 9.652mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 9.652mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   汽车标准 AEC-Q101  Vishay 汽车标准 AEC-Q101  MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101  Vishay MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SQ Rugged  Vishay 系列 SQ Rugged  MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged  Vishay MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged   引脚数目 7  Vishay 引脚数目 7  MOSFET 晶体管 引脚数目 7  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 7   最大功率耗散 375 W  Vishay 最大功率耗散 375 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 375 W   最大连续漏极电流 200 A  Vishay 最大连续漏极电流 200 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 200 A   最大漏源电压 40 V  Vishay 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 2.3 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 2.3 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.3 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.3 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.5V  Vishay 最小栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQM200N04-1M1L-GE3产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号