SQM120N06-3m5L_GE3,819-3945,Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装

制造商零件编号：
SQM120N06-3m5L_GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
819-3945
Vishay SQM120N06-3m5L_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SQM120N06-3m5L_GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，汽车 SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

SQM120N06-3m5L_GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.41mm  
  尺寸  10.414 x 9.652 x 4.826mm  
  典型关断延迟时间  83 ns  
  典型接通延迟时间  19 ns  
  典型输入电容值@Vds  11755 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  220 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-263  
  高度  4.826mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.652mm  
  每片芯片元件数目  1  
  汽车标准  AEC-Q101  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  375 W  
  最大连续漏极电流  120 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  8 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQM120N06-3m5L_GE3产品技术参数资料

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