关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	6.73mm
尺寸	6.73 x 6.22 x 2.38mm
典型关断延迟时间	39 ns
典型接通延迟时间	9 ns
典型输入电容值@Vds	4880 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	85 nC @ 10 V
封装类型	TO-252AA
高度	2.38mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.22mm
每片芯片元件数目	1
汽车标准	AEC-Q101
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SQ Rugged
引脚数目	3
最大功率耗散	136 W
最大连续漏极电流	50 A
最大漏源电压	40 V
最大漏源电阻值	6.8 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   典型关断延迟时间 39 ns  Vishay 典型关断延迟时间 39 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 39 ns   典型接通延迟时间 9 ns  Vishay 典型接通延迟时间 9 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9 ns   典型输入电容值@Vds 4880 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 4880 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4880 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 4880 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V   封装类型 TO-252AA  Vishay 封装类型 TO-252AA  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA   高度 2.38mm  Vishay 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   汽车标准 AEC-Q101  Vishay 汽车标准 AEC-Q101  MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101  Vishay MOSFET 晶体管 汽车标准 AEC-Q101   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SQ Rugged  Vishay 系列 SQ Rugged  MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged  Vishay MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 136 W  Vishay 最大功率耗散 136 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 136 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 136 W   最大连续漏极电流 50 A  Vishay 最大连续漏极电流 50 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 50 A   最大漏源电压 40 V  Vishay 最大漏源电压 40 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 40 V   最大漏源电阻值 6.8 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 6.8 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6.8 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 6.8 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.5V  Vishay 最小栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  

• SQD50N04-4m5L, Automotive N-Channel 40V (D-S) 175degC MOSFET