SQD50N04-4M5L-GE3,819-3942,Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装

制造商零件编号:
SQD50N04-4M5L-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
819-3942
Vishay SQD50N04-4M5L-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SQD50N04-4M5L-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET? 技术
• 创新型节省空间封装选项

认可

AEC-Q101

SQD50N04-4M5L-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  39 ns  
  典型接通延迟时间  9 ns  
  典型输入电容值@Vds  4880 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  85 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-252AA  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  汽车标准  AEC-Q101  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  136 W  
  最大连续漏极电流  50 A  
  最大漏源电压  40 V  
  最大漏源电阻值  6.8 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
关键词         

SQD50N04-4M5L-GE3相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQD50N04-4M5L-GE3产品技术参数资料

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