SQD19P06-60L_GE3,819-3936,Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装 ,Vishay
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装

制造商零件编号：
SQD19P06-60L_GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
819-3936
Vishay SQD19P06-60L_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SQD19P06-60L_GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET，SQ 坚固系列，Vishay Semiconductor

SQD19P06-60L_GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.38mm  
  典型关断延迟时间  25 ns  
  典型接通延迟时间  7 ns  
  典型输入电容值@Vds  1192 pF @ -25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  10 V 时，27 常闭  
  封装类型  TO-252AA  
  高度  2.38mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  系列  SQ Rugged  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  46 W  
  最大连续漏极电流  11 A  
  最大漏源电压  60 V  
  最大漏源电阻值  125 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
  最小栅阈值电压  1.5V  
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SQD19P06-60L_GE3配套附件

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安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  Vishay 长度 6.73mm  MOSFET 晶体管 长度 6.73mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   典型关断延迟时间 25 ns  Vishay 典型关断延迟时间 25 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 25 ns   典型接通延迟时间 7 ns  Vishay 典型接通延迟时间 7 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 7 ns   典型输入电容值@Vds 1192 pF @ -25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1192 pF @ -25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1192 pF @ -25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1192 pF @ -25 V   典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭   封装类型 TO-252AA  Vishay 封装类型 TO-252AA  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-252AA   高度 2.38mm  Vishay 高度 2.38mm  MOSFET 晶体管 高度 2.38mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 2.38mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  Vishay 宽度 6.22mm  MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SQ Rugged  Vishay 系列 SQ Rugged  MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged  Vishay MOSFET 晶体管 系列 SQ Rugged   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 46 W  Vishay 最大功率耗散 46 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 46 W   最大连续漏极电流 11 A  Vishay 最大连续漏极电流 11 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11 A   最大漏源电压 60 V  Vishay 最大漏源电压 60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V   最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 125 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 125 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 1.5V  Vishay 最小栅阈值电压 1.5V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.5V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SQD19P06-60L_GE3产品技术参数资料

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