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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.55mm
典型关断延迟时间	33 ns
典型接通延迟时间	10 ns
典型输入电容值@Vds	1010 pF @ -15 V
典型栅极电荷@Vgs	25 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.55mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
系列	SQ Rugged
引脚数目	8
最大功率耗散	6 W
最大连续漏极电流	6.2 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	52 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	1.5V
关键词

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• SQ4431EY, Automotive P-Channel 30V (D-S) 175degC MOSFET