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安装类型	表面贴装
长度	10.41mm
尺寸	10.414 x 9.652 x 4.826mm
典型关断延迟时间	45 ns
典型接通延迟时间	24 ns
典型输入电容值@Vds	5100 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	90 nC @ 10 V
封装类型	TO-263
高度	4.826mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.652mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	375 W
最大连续漏极电流	65 A
最大漏源电压	200 V
最大漏源电阻值	0.084 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• SUM65N20-30, N-Channel 200V (D-S) 175degC MOSFET