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安装类型	表面贴装
长度	2.15mm
尺寸	2.15 x 2.15 x 0.6mm
典型关断延迟时间	80 ns
典型接通延迟时间	22 ns
典型输入电容值@Vds	1750 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	41 nC @ 8 V
封装类型	PowerPAK SC-70
高度	0.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	2.15mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	19 W
最大连续漏极电流	8.5 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	60 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

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• SiA429DJT, P-Channel 20V (D-S) MOSFET