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安装类型	表面贴装
长度	4.5mm
尺寸	4.5 x 3.1 x 1.05mm
典型关断延迟时间	860 ns
典型接通延迟时间	245 ns
典型栅极电荷@Vgs	12 nC @ 4.5 V
封装类型	TSSOP
高度	1.05mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.1mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
正向二极管电压	1.2V
正向跨导	30S
最大功率耗散	1 W
最大连续漏极电流	5.2 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	30 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.6V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.5mm  Vishay 长度 4.5mm  MOSFET 晶体管 长度 4.5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  Vishay 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 4.5 x 3.1 x 1.05mm   典型关断延迟时间 860 ns  Vishay 典型关断延迟时间 860 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 860 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 860 ns   典型接通延迟时间 245 ns  Vishay 典型接通延迟时间 245 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 245 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 245 ns   典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 4.5 V   封装类型 TSSOP  Vishay 封装类型 TSSOP  MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TSSOP   高度 1.05mm  Vishay 高度 1.05mm  MOSFET 晶体管 高度 1.05mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.05mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.1mm  Vishay 宽度 3.1mm  MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 3.1mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  Vishay 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 30S  Vishay 正向跨导 30S  MOSFET 晶体管 正向跨导 30S  Vishay MOSFET 晶体管 正向跨导 30S   最大功率耗散 1 W  Vishay 最大功率耗散 1 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1 W   最大连续漏极电流 5.2 A  Vishay 最大连续漏极电流 5.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.2 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.2 A   最大漏源电压 20 V  Vishay 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 30 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 30 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 30 mΩ   最大栅源电压 ±12 V  Vishay 最大栅源电压 ±12 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±12 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.6V  Vishay 最小栅阈值电压 0.6V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.6V  

• Si6968BEDQ, Dual N-Channel 2.5V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection