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安装类型	表面贴装
长度	3.1mm
尺寸	3.1 x 1.7 x 1.1mm
典型关断延迟时间	78 ns
典型接通延迟时间	32 ns
典型输入电容值@Vds	2945 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	64 nC @ 10 V
封装类型	1206 ChipFET
高度	1.1mm
宽度	1.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	6.3 W
最大连续漏极电流	6 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	62 mΩ
最大栅源电压	±12 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.6V
关键词

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• Si5471DC, P-Channel 20V (D-S) MOSFET