SI5471DC-T1-GE3,818-1328,Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装 ,Vishay
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装

制造商零件编号:
SI5471DC-T1-GE3
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
818-1328
Vishay SI5471DC-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SI5471DC-T1-GE3产品详细信息

P 通道 MOSFET,TrenchFET Gen III,Vishay Semiconductor

SI5471DC-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.1mm  
  尺寸  3.1 x 1.7 x 1.1mm  
  典型关断延迟时间  78 ns  
  典型接通延迟时间  32 ns  
  典型输入电容值@Vds  2945 pF @ -10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  64 nC @ 10 V  
  封装类型  1206 ChipFET  
  高度  1.1mm  
  宽度  1.7mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  6.3 W  
  最大连续漏极电流  6 A  
  最大漏源电压  20 V  
  最大漏源电阻值  62 mΩ  
  最大栅源电压  ±12 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  0.6V  
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电话:400-900-3095
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SI5471DC-T1-GE3产品技术参数资料

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