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安装类型	表面贴装
长度	3.08mm
尺寸	3.08 x 1.98 x 0.85mm
典型关断延迟时间	20 ns
典型接通延迟时间	20 ns
典型输入电容值@Vds	1350 pF @ 20 V
典型栅极电荷@Vgs	20 nC @ 10 V
封装类型	PowerPAK ChipFET
高度	0.85mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	1.98mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	31 W
最大连续漏极电流	11.6 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	18.5 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.2V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 3.08mm  Vishay 长度 3.08mm  MOSFET 晶体管 长度 3.08mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 3.08mm   尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm  Vishay 尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm  MOSFET 晶体管 尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 3.08 x 1.98 x 0.85mm   典型关断延迟时间 20 ns  Vishay 典型关断延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 20 ns   典型接通延迟时间 20 ns  Vishay 典型接通延迟时间 20 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 20 ns   典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 20 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 20 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1350 pF @ 20 V   典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK ChipFET  Vishay 封装类型 PowerPAK ChipFET  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK ChipFET  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK ChipFET   高度 0.85mm  Vishay 高度 0.85mm  MOSFET 晶体管 高度 0.85mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 0.85mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.98mm  Vishay 宽度 1.98mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.98mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.98mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 31 W  Vishay 最大功率耗散 31 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 31 W   最大连续漏极电流 11.6 A  Vishay 最大连续漏极电流 11.6 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.6 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 11.6 A   最大漏源电压 30 V  Vishay 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 18.5 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 18.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 18.5 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 18.5 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Vishay 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  

• Si5418DU, N-Channel 30V (D-S) MOSFET