BUK78150-55A,816-7836,Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK78150-55A, 5.5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装 ,Nexperia
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BUK78150-55A
Nexperia N沟道 Si MOSFET BUK78150-55A, 5.5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号:
BUK78150-55A
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
816-7836
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BUK78150-55A产品详细信息
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia
BUK78150-55A产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.7mm
典型关断延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
3 ns
典型输入电容值@Vds
170 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
50 nC @ 10 V
封装类型
SOT-223
高度
1.7mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3+Tab
最大功率耗散
8 W
最大连续漏极电流
5.5 A
最大漏源电压
55 V
最大漏源电阻值
278 mΩ
最大栅阈值电压
4V
最大栅源电压
20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
2V
关键词
BUK78150-55A相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
Nexperia 长度 6.7mm
MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
Nexperia 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
典型关断延迟时间 8 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 8 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 3 ns
典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 170 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 50 nC @ 10 V
封装类型 SOT-223
Nexperia 封装类型 SOT-223
MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.7mm
Nexperia 高度 1.7mm
MOSFET 晶体管 高度 1.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1.7mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.7mm
Nexperia 宽度 3.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 3.7mm
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3+Tab
Nexperia 引脚数目 3+Tab
MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 3+Tab
最大功率耗散 8 W
Nexperia 最大功率耗散 8 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 8 W
最大连续漏极电流 5.5 A
Nexperia 最大连续漏极电流 5.5 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 5.5 A
最大漏源电压 55 V
Nexperia 最大漏源电压 55 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 55 V
最大漏源电阻值 278 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 278 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 278 mΩ
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 278 mΩ
最大栅阈值电压 4V
Nexperia 最大栅阈值电压 4V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 4V
最大栅源电压 20 V
Nexperia 最大栅源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 2V
Nexperia 最小栅阈值电压 2V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V
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BUK78150-55A产品技术参数资料
BUK78150-55A
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新加坡2号品牌选型
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