PMN20EN,816-6906,Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN20EN, 6.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装 ,Nexperia
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PMN20EN
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMN20EN, 6.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
制造商零件编号:
PMN20EN
制造商:
Nexperia
Nexperia
库存编号:
816-6906
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PMN20EN产品详细信息
N 通道 MOSFET,1A 至 9A,Nexperia
PMN20EN产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间
200 ns
典型接通延迟时间
4 ns
典型输入电容值@Vds
630 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs
12.4 nC @ 10 V
封装类型
TSOP
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
6
最大功率耗散
4.17 W
最大连续漏极电流
6.7 A
最大漏源电压
30 V
最大漏源电阻值
31 mΩ
最大栅阈值电压
2.5V
最大栅源电压
20 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
PMN20EN相关搜索
安装类型 表面贴装
Nexperia 安装类型 表面贴装
MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
Nexperia 长度 3.1mm
MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
Nexperia 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1mm
典型关断延迟时间 200 ns
Nexperia 典型关断延迟时间 200 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 4 ns
Nexperia 典型接通延迟时间 4 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 4 ns
典型输入电容值@Vds 630 pF @ 15 V
Nexperia 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 15 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 15 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 630 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs 12.4 nC @ 10 V
Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 12.4 nC @ 10 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.4 nC @ 10 V
Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 12.4 nC @ 10 V
封装类型 TSOP
Nexperia 封装类型 TSOP
MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP
Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 TSOP
高度 1mm
Nexperia 高度 1mm
MOSFET 晶体管 高度 1mm
Nexperia MOSFET 晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
Nexperia 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Nexperia 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.7mm
Nexperia 宽度 1.7mm
MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.7mm
类别 功率 MOSFET
Nexperia 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Nexperia MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Nexperia 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Nexperia 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Nexperia 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 6
Nexperia 引脚数目 6
MOSFET 晶体管 引脚数目 6
Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 6
最大功率耗散 4.17 W
Nexperia 最大功率耗散 4.17 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 4.17 W
Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 4.17 W
最大连续漏极电流 6.7 A
Nexperia 最大连续漏极电流 6.7 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.7 A
Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.7 A
最大漏源电压 30 V
Nexperia 最大漏源电压 30 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V
最大漏源电阻值 31 mΩ
Nexperia 最大漏源电阻值 31 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 31 mΩ
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最大栅阈值电压 2.5V
Nexperia 最大栅阈值电压 2.5V
MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.5V
最大栅源电压 20 V
Nexperia 最大栅源电压 20 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V
Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 20 V
最低工作温度 -55 °C
Nexperia 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Nexperia 最高工作温度 +150 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小栅阈值电压 1V
Nexperia 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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PMN20EN产品技术参数资料
PMN20EN 30V, 6.7A N-channel Trench MOSFET datasheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
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