NX1029X,816-0563,Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET NX1029X, 170 mA,330 mA, Vds=50 V,60 V, 6引脚 SOT-666封装 ,Nexperia
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Nexperia 双 Si N/P沟道 MOSFET NX1029X, 170 mA,330 mA, Vds=50 V,60 V, 6引脚 SOT-666封装

制造商零件编号:
NX1029X
库存编号:
816-0563
Nexperia NX1029X
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

NX1029X产品详细信息

双 N/P 通道 MOSFET,Nexperia

NX1029X产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.7mm  
  尺寸  1.7 x 1.3 x 0.6mm  
  典型关断延迟时间  12 ns, 48 ns  
  典型接通延迟时间  5 (N) ns, 13 (P) ns  
  典型输入电容值@Vds  24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  
  典型栅极电荷@Vgs  0.26 nC @ 5 V,0.5 nC @ 4.5 V  
  封装类型  SOT-666  
  高度  0.6mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  2  
  通道类型  N,P  
  通道模式  增强  
  引脚数目  6  
  最大功率耗散  500 mW  
  最大连续漏极电流  170 mA,330 mA  
  最大漏源电压  50 V,60 V  
  最大漏源电阻值  3.6 Ω,13.5 Ω  
  最大栅阈值电压  2.1V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.1V  
关键词         

NX1029X相关搜索

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  Nexperia 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  Nexperia 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm   典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns   典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  Nexperia 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns   典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V,0.5 nC @ 4.5 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V,0.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V,0.5 nC @ 4.5 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V,0.5 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-666  Nexperia 封装类型 SOT-666  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666   高度 0.6mm  Nexperia 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Nexperia 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.3mm  Nexperia 宽度 1.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 2  Nexperia 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N,P  Nexperia 通道类型 N,P  MOSFET 晶体管 通道类型 N,P  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N,P   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Nexperia 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 500 mW  Nexperia 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 170 mA,330 mA  Nexperia 最大连续漏极电流 170 mA,330 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 170 mA,330 mA  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 170 mA,330 mA   最大漏源电压 50 V,60 V  Nexperia 最大漏源电压 50 V,60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V,60 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V,60 V   最大漏源电阻值 3.6 Ω,13.5 Ω  Nexperia 最大漏源电阻值 3.6 Ω,13.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.6 Ω,13.5 Ω  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.6 Ω,13.5 Ω   最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 ±20 V  Nexperia 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia 最小栅阈值电压 1.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

NX1029X产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号