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安装类型	表面贴装
长度	1.7mm
尺寸	1.7 x 1.3 x 0.6mm
典型关断延迟时间	12 ns, 48 ns
典型接通延迟时间	5 (N) ns, 13 (P) ns
典型输入电容值@Vds	24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	0.26 nC @ 5 V，0.5 nC @ 4.5 V
封装类型	SOT-666
高度	0.6mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	2
通道类型	N，P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	500 mW
最大连续漏极电流	170 mA，330 mA
最大漏源电压	50 V，60 V
最大漏源电阻值	3.6 Ω，13.5 Ω
最大栅阈值电压	2.1V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.1V
关键词

安装类型 表面贴装  Nexperia 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Nexperia MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 1.7mm  Nexperia 长度 1.7mm  MOSFET 晶体管 长度 1.7mm  Nexperia MOSFET 晶体管 长度 1.7mm   尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  Nexperia 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm  Nexperia MOSFET 晶体管 尺寸 1.7 x 1.3 x 0.6mm   典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  Nexperia 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns, 48 ns   典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  Nexperia 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns  Nexperia MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 5 (N) ns, 13 (P) ns   典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  Nexperia 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 24 pF@ -25 V, 33 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V，0.5 nC @ 4.5 V  Nexperia 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V，0.5 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V，0.5 nC @ 4.5 V  Nexperia MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 0.26 nC @ 5 V，0.5 nC @ 4.5 V   封装类型 SOT-666  Nexperia 封装类型 SOT-666  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666  Nexperia MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-666   高度 0.6mm  Nexperia 高度 0.6mm  MOSFET 晶体管 高度 0.6mm  Nexperia MOSFET 晶体管 高度 0.6mm   晶体管材料 Si  Nexperia 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Nexperia 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Nexperia MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.3mm  Nexperia 宽度 1.3mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm  Nexperia MOSFET 晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 2  Nexperia 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Nexperia MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 N，P  Nexperia 通道类型 N，P  MOSFET 晶体管 通道类型 N，P  Nexperia MOSFET 晶体管 通道类型 N，P   通道模式 增强  Nexperia 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Nexperia MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Nexperia 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Nexperia MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 500 mW  Nexperia 最大功率耗散 500 mW  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW  Nexperia MOSFET 晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大连续漏极电流 170 mA，330 mA  Nexperia 最大连续漏极电流 170 mA，330 mA  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 170 mA，330 mA  Nexperia MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 170 mA，330 mA   最大漏源电压 50 V，60 V  Nexperia 最大漏源电压 50 V，60 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V，60 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电压 50 V，60 V   最大漏源电阻值 3.6 Ω，13.5 Ω  Nexperia 最大漏源电阻值 3.6 Ω，13.5 Ω  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.6 Ω，13.5 Ω  Nexperia MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 3.6 Ω，13.5 Ω   最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia 最大栅阈值电压 2.1V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 2.1V   最大栅源电压 ±20 V  Nexperia 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Nexperia MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Nexperia 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Nexperia 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Nexperia MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia 最小栅阈值电压 1.1V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  Nexperia MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.1V  

• NX1029X N/P-channel Trench MOSFET Data Sheet