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安装类型	表面贴装
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 9.65 x 4.83mm
典型关断延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	11 ns
典型输入电容值@Vds	660 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	31 nC @ 10 V
封装类型	D2PAK
高度	4.83mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	9.65mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
最大功率耗散	74 W
最大连续漏极电流	3.6 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	2.2 Ω
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• IRFBC30S, SiHFBC30S, IRFBC30L, SiHFBC30L, Power MOSFET