SiHP18N50C-E3,815-2689,Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Vishay
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Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装

制造商零件编号：
SiHP18N50C-E3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
815-2689
Vishay SiHP18N50C-E3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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SiHP18N50C-E3产品详细信息

N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor

SiHP18N50C-E3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.51mm  
  尺寸  10.51 x 4.65 x 15.49mm  
  典型关断延迟时间  45 ns  
  典型接通延迟时间  22 ns  
  典型输入电容值@Vds  2830 pF @ 25 V  
  典型栅极电荷@Vgs  120 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220AB  
  高度  15.49mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.65mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  220 W  
  最大连续漏极电流  17 A  
  最大漏源电压  500 V  
  最大漏源电阻值  290 mΩ  
  最大栅源电压  ±30 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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SiHP18N50C-E3相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.51mm  Vishay 长度 10.51mm  MOSFET 晶体管 长度 10.51mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 10.51mm   尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  Vishay 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm   典型关断延迟时间 45 ns  Vishay 典型关断延迟时间 45 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 45 ns   典型接通延迟时间 22 ns  Vishay 典型接通延迟时间 22 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 22 ns   典型输入电容值@Vds 2830 pF @ 25 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 2830 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2830 pF @ 25 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 2830 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 120 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 15.49mm  Vishay 高度 15.49mm  MOSFET 晶体管 高度 15.49mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 15.49mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.65mm  Vishay 宽度 4.65mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4.65mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 220 W  Vishay 最大功率耗散 220 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 220 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 220 W   最大连续漏极电流 17 A  Vishay 最大连续漏极电流 17 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 17 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 17 A   最大漏源电压 500 V  Vishay 最大漏源电压 500 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 500 V   最大漏源电阻值 290 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 290 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 290 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 290 mΩ   最大栅源电压 ±30 V  Vishay 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 3V  Vishay 最小栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 3V  
参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
[更多]		 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 500V 18A TO220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Unidentified

RoHS: Compliant

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SIHP18N50C-E3
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Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: SIHP18N50C-E3)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
[更多]		 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
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MOSFET,N CH,W DIO,500V,18A,TO220AB

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SIHP18N50C-E3.
[更多]		 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 560V, 18A

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SIHP18N50C-E3..
[更多]		 Vishay Intertechnologies

MOSFET,N CH,500V,18A,TO220

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
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E Series N-Channel 500 V 0.27 O 76 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
SIHP18N50C-E3
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SiHP18N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRFB18N50KPBF
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MOSFET N-Chan 500V 17 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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SIHP18N50C-E3
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MOSFET 560V 18A 223W 270mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SIHP18N50C-E3.
VISHAY SIHP18N50C-E3.		1781593

VISHAY

晶体管, N沟道

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SIHP18N50C-E3
VISHAY SIHP18N50C-E3		1852570

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 225 mohm, 10 V, 5 V

 (EN)		搜索
SIHP18N50C-E3..
VISHAY SIHP18N50C-E3..		1869883

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 500 V, 0.225 ohm, 10 V, 3 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Vishay - SiHP18N50C-E3 - Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
SiHP18N50C-E3
品牌：
Vishay
库存编号：
815-2689
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Vishay Siliconix - SIHP18N50C-E3 - MOSFET N-CH 500V 18A TO220		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 18A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 223W（Tc） TO-220AB

型号：SIHP18N50C-E3
仓库库存编号：SIHP18N50C-E3-ND
别名：SIHP18N50CE3 <br>

无铅		搜索
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SIHP18N50C-E3|VISHAYSIHP18N50C-E3
VISHAY		N 沟道 500 V 0.27 Ohm 223 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB-3
Rohs

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SIHP18N50C-E3|VISHAY SILICONIXSIHP18N50C-E3
VISHAY SILICONIX		晶体管 N沟道
Rohs

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SIHP18N50C-E3|VISHAYSIHP18N50C-E3
VISHAY		N 沟道 500 V 0.27 Ohm 223 W 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB-3
Rohs

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无图SIHP18N50C-E3.
VISHAY SILICONIX		原厂原装货
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无图SIHP18N50C-E3..
VISHAY SILICONIX		原厂原装货
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SIHP18N50C-E3|Vishay SiliconixSIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH 500V 18A TO220
Rohs

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Siliconix / Vishay - SIHP18N50C-E3 - 3-Pin TO-220AB 500 V 17 A SiHP18N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor|70459583 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
SiHP18N50C-E3 N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB

型号：SIHP18N50C-E3
仓库库存编号：70459583

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SiHP18N50C-E3产品技术参数资料

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