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安装类型	表面贴装
长度	3.4mm
尺寸	3.15 x 3.15 x 0.8mm
典型关断延迟时间	110 ns
典型接通延迟时间	40 ns
典型输入电容值@Vds	5700 pF @ -10V
典型栅极电荷@Vgs	98 nC @ 8 V
封装类型	PowerPAK 1212
高度	0.8mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	3.4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	39 W
最大连续漏极电流	22 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	14 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

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• SiS435DNT, P-Channel 20V (D-S) MOSFET