SIRA18DP-T1-GE3,814-1291,Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA18DP-T1-GE3, 15.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装 ,Vishay
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA18DP-T1-GE3, 15.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装

制造商零件编号：
SIRA18DP-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
814-1291
Vishay SIRA18DP-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

SIRA18DP-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor

SIRA18DP-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5.99mm  
  尺寸  5.99 x 5 x 1.12mm  
  典型关断延迟时间  15 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  1000 pF @ 15 V  
  典型栅极电荷@Vgs  14.3 nC @ 10 V  
  封装类型  PowerPAK SO  
  高度  1.12mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  5mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  TrenchFET  
  引脚数目  8  
  最大功率耗散  14.7 W  
  最大连续漏极电流  15.5 A  
  最大漏源电压  30 V  
  最大漏源电阻值  12 mΩ  
  最大栅源电压  -16 V，20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  1.2V  
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SIRA18DP-T1-GE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5.99mm  Vishay 长度 5.99mm  MOSFET 晶体管 长度 5.99mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5.99mm   尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm  Vishay 尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5.99 x 5 x 1.12mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Vishay 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 15 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 15 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 15 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 1000 pF @ 15 V   典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 14.3 nC @ 10 V   封装类型 PowerPAK SO  Vishay 封装类型 PowerPAK SO  MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 PowerPAK SO   高度 1.12mm  Vishay 高度 1.12mm  MOSFET 晶体管 高度 1.12mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.12mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5mm  Vishay 宽度 5mm  MOSFET 晶体管 宽度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 5mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TrenchFET  Vishay 系列 TrenchFET  MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET  Vishay MOSFET 晶体管 系列 TrenchFET   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 14.7 W  Vishay 最大功率耗散 14.7 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 14.7 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 14.7 W   最大连续漏极电流 15.5 A  Vishay 最大连续漏极电流 15.5 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15.5 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 15.5 A   最大漏源电压 30 V  Vishay 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 12 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 12 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 12 mΩ   最大栅源电压 -16 V，20 V  Vishay 最大栅源电压 -16 V，20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 V，20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 -16 V，20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 1.2V  Vishay 最小栅阈值电压 1.2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1.2V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

SIRA18DP-T1-GE3产品技术参数资料

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