IRLIZ14GPBF,813-0702,Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装 ,Vishay
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IRLIZ14GPBF
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
制造商零件编号:
IRLIZ14GPBF
制造商:
Vishay
Vishay
库存编号:
813-0702
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRLIZ14GPBF产品详细信息
N 通道 MOSFET,60V 至 90V,Vishay Semiconductor
IRLIZ14GPBF产品技术参数
安装类型
通孔
典型关断延迟时间
17 ns
典型接通延迟时间
9.3 ns
典型输入电容值@Vds
400 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs
8.4 nC @ 5 V
封装类型
TO-220FP
晶体管材料
Si
晶体管配置
单
类别
功率 MOSFET
每片芯片元件数目
1
通道类型
N
通道模式
增强
引脚数目
3
最大功率耗散
27 W
最大连续漏极电流
8 A
最大漏源电压
60 V
最大漏源电阻值
280 mΩ
最大栅源电压
±10 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
最小栅阈值电压
1V
关键词
IRLIZ14GPBF相关搜索
安装类型 通孔
Vishay 安装类型 通孔
MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 通孔
典型关断延迟时间 17 ns
Vishay 典型关断延迟时间 17 ns
MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9.3 ns
Vishay 典型接通延迟时间 9.3 ns
MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.3 ns
Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 9.3 ns
典型输入电容值@Vds 400 pF@ 25 V
Vishay 典型输入电容值@Vds 400 pF@ 25 V
MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF@ 25 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 400 pF@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 8.4 nC @ 5 V
Vishay 典型栅极电荷@Vgs 8.4 nC @ 5 V
MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.4 nC @ 5 V
Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 8.4 nC @ 5 V
封装类型 TO-220FP
Vishay 封装类型 TO-220FP
MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220FP
晶体管材料 Si
Vishay 晶体管材料 Si
MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si
晶体管配置 单
Vishay 晶体管配置 单
MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单
类别 功率 MOSFET
Vishay 类别 功率 MOSFET
MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET
每片芯片元件数目 1
Vishay 每片芯片元件数目 1
MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1
通道类型 N
Vishay 通道类型 N
MOSFET 晶体管 通道类型 N
Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N
通道模式 增强
Vishay 通道模式 增强
MOSFET 晶体管 通道模式 增强
Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强
引脚数目 3
Vishay 引脚数目 3
MOSFET 晶体管 引脚数目 3
Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 27 W
Vishay 最大功率耗散 27 W
MOSFET 晶体管 最大功率耗散 27 W
Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 27 W
最大连续漏极电流 8 A
Vishay 最大连续漏极电流 8 A
MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 60 V
Vishay 最大漏源电压 60 V
MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻值 280 mΩ
Vishay 最大漏源电阻值 280 mΩ
MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ
Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 280 mΩ
最大栅源电压 ±10 V
Vishay 最大栅源电压 ±10 V
MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±10 V
最低工作温度 -55 °C
Vishay 最低工作温度 -55 °C
MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +175 °C
Vishay 最高工作温度 +175 °C
MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C
最小栅阈值电压 1V
Vishay 最小栅阈值电压 1V
MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 1V
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IRLIZ14GPBF产品技术参数资料
IRLIZ14G, SiHLIZ14G, Power MOSFET
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