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安装类型	表面贴装
长度	5mm
尺寸	5 x 4 x 1.55mm
典型关断延迟时间	21 ns
典型接通延迟时间	16 ns
典型输入电容值@Vds	520 pF @ 15 V
典型栅极电荷@Vgs	8.6 nC @ 10 V
封装类型	SOIC
高度	1.55mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	8
最大功率耗散	3.1 W
最大连续漏极电流	7.5 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	52 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	1.2V
关键词

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• Si4620DY, N-Channel 30V (D-S) MOSFET with Schottky Diode