SI4100DY-T1-GE3,812-3186,Vishay Si N沟道 MOSFET SI4100DY-T1-GE3, 6.8 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装 ,Vishay
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4100DY-T1-GE3, 6.8 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号：
SI4100DY-T1-GE3
制造商：
Vishay Vishay
库存编号：
812-3186
Vishay SI4100DY-T1-GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:SI4100DY-T1-GE3CT-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO6125
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:SI4100DY-T1-GE3DKR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO6125
1起订		1+
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:SI4100DY-T1-GE3TR-ND		 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO2500
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:781-SI4100DY-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-83765
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:SI4100DY-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4100DY-T1-GE3)0
2500起订		2500+
5000+
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￥6.01
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:1779251RL		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 100V, 6.8A, SO82055
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:1779251		 Vishay Intertechnologies , MOSFET, N, 100V, 6.8A, SO82055
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SI4100DY-T1-GE3
库存编号:SI4100DY-T1-GE3		 Vishay Intertechnologies MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SO-80
2500起订		2500+
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7500+
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SI4100DY-T1-GE3产品详细信息

N 通道 MOSFET，100V 至 150V，Vishay Semiconductor

SI4100DY-T1-GE3产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  5mm  
  尺寸  5 x 4 x 1.55mm  
  典型关断延迟时间  12 ns  
  典型接通延迟时间  15 ns  
  典型输入电容值@Vds  600 pF @ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  13.5 nC @ 10 V  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.55mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  引脚数目  8  
  正向二极管电压  1.2V  
  正向跨导  10S  
  最大功率耗散  6 W  
  最大连续漏极电流  6.8 A  
  最大漏源电压  100 V  
  最大漏源电阻值  84 mΩ  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  2V  
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SI4100DY-T1-GE3相关搜索

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 5mm  Vishay 长度 5mm  MOSFET 晶体管 长度 5mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 5mm   尺寸 5 x 4 x 1.55mm  Vishay 尺寸 5 x 4 x 1.55mm  MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.55mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 5 x 4 x 1.55mm   典型关断延迟时间 12 ns  Vishay 典型关断延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 12 ns   典型接通延迟时间 15 ns  Vishay 典型接通延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 15 ns   典型输入电容值@Vds 600 pF @ 50 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 600 pF @ 50 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 600 pF @ 50 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 600 pF @ 50 V   典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 13.5 nC @ 10 V   封装类型 SOIC  Vishay 封装类型 SOIC  MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOIC   高度 1.55mm  Vishay 高度 1.55mm  MOSFET 晶体管 高度 1.55mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1.55mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4mm  Vishay 宽度 4mm  MOSFET 晶体管 宽度 4mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 4mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 8  Vishay 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 8   正向二极管电压 1.2V  Vishay 正向二极管电压 1.2V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V  Vishay MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.2V   正向跨导 10S  Vishay 正向跨导 10S  MOSFET 晶体管 正向跨导 10S  Vishay MOSFET 晶体管 正向跨导 10S   最大功率耗散 6 W  Vishay 最大功率耗散 6 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 6 W   最大连续漏极电流 6.8 A  Vishay 最大连续漏极电流 6.8 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.8 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 6.8 A   最大漏源电压 100 V  Vishay 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 84 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 84 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 84 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 84 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  
参考价格及参考库存
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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V

RoHS: Compliant

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SI4100DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4100DY-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant

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SI4100DY-T1-GE3
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Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4100DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant

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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, SO8

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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, SO8

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SI4100DY-T1-GE3
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MOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
SI4100DY-T1-GE3|VISHAY SILICONIXSI4100DY-T1-GE3
VISHAY SILICONIX		MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
Rohs

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Vishay - SI4100DY-T1-GE3 - Vishay Si N沟道 MOSFET SI4100DY-T1-GE3, 6.8 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
SI4100DY-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
812-3186
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Vishay Siliconix - SI4100DY-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC		Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO

型号：SI4100DY-T1-GE3
仓库库存编号：SI4100DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4100DY-T1-GE3CT <br>

无铅		搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI4100DY-T1-GE3
VISHAY SI4100DY-T1-GE3		1779251

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V

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SI4100DY-T1-GE3
VISHAY SI4100DY-T1-GE3		1779251RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 100 V, 51 mohm, 10 V, 2 V

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SI4100DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
Rohs

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SI4100DY-T1-GE3|Vishay SiliconixSI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix		MOSFET N-CH D-S 100V 8-SOIC
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Siliconix / Vishay - SI4100DY-T1-GE3 - 8-Pin SOIC 100 V 6.8 A SI4100DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor|70616169 | ChuangWei Electronics		Siliconix / Vishay
SI4100DY-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 6.8 A, 100 V, 8-Pin SOIC

型号：SI4100DY-T1-GE3
仓库库存编号：70616169

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SI4100DY-T1-GE3产品技术参数资料

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