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安装类型	表面贴装
长度	2.2mm
尺寸	2.2 x 1.35 x 1mm
典型关断延迟时间	15 ns
典型接通延迟时间	12 ns
典型输入电容值@Vds	110 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs	2.6 nC @ 8 V
封装类型	SOT-363
高度	1mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	隔离式
宽度	1.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	2
通道类型	P
通道模式	增强
引脚数目	6
最大功率耗散	1.25 W
最大连续漏极电流	1.1 A
最大漏源电压	20 V
最大漏源电阻值	790 mΩ
最大栅源电压	±8 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小栅阈值电压	0.4V
关键词

安装类型 表面贴装  Vishay 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Vishay MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.2mm  Vishay 长度 2.2mm  MOSFET 晶体管 长度 2.2mm  Vishay MOSFET 晶体管 长度 2.2mm   尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  Vishay 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm  Vishay MOSFET 晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm   典型关断延迟时间 15 ns  Vishay 典型关断延迟时间 15 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 15 ns   典型接通延迟时间 12 ns  Vishay 典型接通延迟时间 12 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns  Vishay MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 12 ns   典型输入电容值@Vds 110 pF @ -10 V  Vishay 典型输入电容值@Vds 110 pF @ -10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 110 pF @ -10 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 110 pF @ -10 V   典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 8 V  Vishay 典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 8 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 8 V  Vishay MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 2.6 nC @ 8 V   封装类型 SOT-363  Vishay 封装类型 SOT-363  MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363  Vishay MOSFET 晶体管 封装类型 SOT-363   高度 1mm  Vishay 高度 1mm  MOSFET 晶体管 高度 1mm  Vishay MOSFET 晶体管 高度 1mm   晶体管材料 Si  Vishay 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 隔离式  Vishay 晶体管配置 隔离式  MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式  Vishay MOSFET 晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.35mm  Vishay 宽度 1.35mm  MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm  Vishay MOSFET 晶体管 宽度 1.35mm   类别 功率 MOSFET  Vishay 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 2  Vishay 每片芯片元件数目 2  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2  Vishay MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 2   通道类型 P  Vishay 通道类型 P  MOSFET 晶体管 通道类型 P  Vishay MOSFET 晶体管 通道类型 P   通道模式 增强  Vishay 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 6  Vishay 引脚数目 6  MOSFET 晶体管 引脚数目 6  Vishay MOSFET 晶体管 引脚数目 6   最大功率耗散 1.25 W  Vishay 最大功率耗散 1.25 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.25 W  Vishay MOSFET 晶体管 最大功率耗散 1.25 W   最大连续漏极电流 1.1 A  Vishay 最大连续漏极电流 1.1 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A  Vishay MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 1.1 A   最大漏源电压 20 V  Vishay 最大漏源电压 20 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电压 20 V   最大漏源电阻值 790 mΩ  Vishay 最大漏源电阻值 790 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 790 mΩ  Vishay MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 790 mΩ   最大栅源电压 ±8 V  Vishay 最大栅源电压 ±8 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V  Vishay MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±8 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Vishay 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Vishay MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小栅阈值电压 0.4V  Vishay 最小栅阈值电压 0.4V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  Vishay MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 0.4V  

• Si1967DH, Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET